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圖像: Product 595-CSD18536KTTT Product 595-CSD18536KTT
Mouser 元件編號: 595-CSD18536KTTT 595-CSD18536KTT
製造商的零件編號: CSD18536KTTT CSD18536KTT
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
說明: MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTTT
壽命週期: - -
規格書: CSD18536KTTT 規格書 CSD18536KTT 規格書
RoHS:    

規格

品牌: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
組裝國家: CN CN
擴散國: CN CN
原產國: CN CN
下降時間: 4 ns 4 ns
互導 - 最小值: 312 S 312 S
Id - C連續漏極電流: 200 A 200 A
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
最高工作溫度: + 175 C + 175 C
最低工作溫度: - 55 C - 55 C
濕度敏感: Yes Yes
安裝風格: SMD/SMT SMD/SMT
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝/外殼: D2PAK-3 (TO-263-3) D2PAK-3 (TO-263-3)
封裝: Reel Reel
Pd - 功率消耗 : 375 W 375 W
產品類型: MOSFETs MOSFETs
Qg - 閘極充電: 140 nC 140 nC
Rds On - 漏-源電阻: 1.7 mOhms 1.7 mOhms
上升時間: 5 ns 5 ns
RoHS - 貿澤: E E
系列: CSD18536KTT CSD18536KTT
標準包裝數量: 50 500
子類別: Transistors Transistors
技術: Si Si
公司名稱: NexFET NexFET
晶體管極性: N-Channel N-Channel
晶體管類型: 1 N-Channel 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 24 ns 24 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns 11 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V 60 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.8 V 1.8 V

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