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產品資訊 |
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| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 595-CSD18543Q3AT | 595-CSD18543Q3A |
| 製造商的零件編號： | CSD18543Q3AT | CSD18543Q3A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 說明： | MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3A | MOSFET 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18543Q3AT |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | CSD18543Q3AT 規格書 | CSD18543Q3A 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | CN | CN |
| 擴散國: | CN | CN |
| 原產國: | CN | CN |
| 下降時間: | 4 ns | 4 ns |
| 互導 - 最小值: | 40 S | 40 S |
| Id - C連續漏極電流: | 12 A | 12 A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | VSONP-8 | VSONP-8 |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 66 W | 66 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 11.1 nC | 11.1 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 12 mOhms | 12 mOhms |
| 上升時間: | 18 ns | 18 ns |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | CSD18543Q3A | CSD18543Q3A |
| 標準包裝數量: | 250 | 2500 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | NexFET | NexFET |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 8 ns | 8 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 9 ns | 9 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 60 V | 60 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 1.5 V | 1.5 V |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 0 | 713 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
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