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圖像: Product 595-TPS1101DR Product 595-TPS1101D
Mouser 元件編號: 595-TPS1101DR 595-TPS1101D
製造商的零件編號: TPS1101DR TPS1101D
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
說明: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101D MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1101DR
壽命週期: - -
規格書: TPS1101DR 規格書 TPS1101D 規格書
RoHS:    

規格

品牌: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
組裝國家: Not Available Not Available
擴散國: Not Available Not Available
原產國: TW, CN MX
下降時間: 5.5 ns 5.5 ns
互導 - 最小值: 4.3 S 4.3 S
Id - C連續漏極電流: 2.3 A 2.3 A
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
最高工作溫度: + 150 C + 150 C
最低工作溫度: - 40 C - 40 C
安裝風格: SMD/SMT SMD/SMT
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝/外殼: SOIC-8 SOIC-8
封裝: Reel Tube
Pd - 功率消耗 : 791 mW 791 mW
產品類型: MOSFETs MOSFETs
Qg - 閘極充電: 11.25 nC 11.25 nC
Rds On - 漏-源電阻: 90 mOhms 90 mOhms
上升時間: 5.5 ns 5.5 ns
RoHS - 貿澤: Y Y
系列: TPS1101 TPS1101
標準包裝數量: 2500 75
子類別: Transistors Transistors
技術: Si Si
晶體管極性: P-Channel P-Channel
晶體管類型: 1 P-Channel 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 19 ns 19 ns
標準開啟延遲時間: 6.5 ns 6.5 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 15 V 15 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 15 V, 2 V - 15 V, 2 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V 1.5 V

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