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圖像: Product 726-IMZA65R048M1HXKS Product 726-IMZA65R050M2HXKS
Mouser 元件編號: 726-IMZA65R048M1HXKS 726-IMZA65R050M2HXKS
製造商的零件編號： IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1
製造商: Infineon Technologies Infineon Technologies
說明： 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
壽命週期: Not Recommended for New Designs -
規格書: IMZA65R048M1HXKSA1 規格書 (PDF) IMZA65R050M2HXKSA1 規格書 (PDF)
RoHS:    

規格
品牌: Infineon Technologies Infineon Technologies
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
組裝國家: CN CN
擴散國: AT AT
原產國: AT AT
下降時間: 13 ns 4.4 ns
Id - C連續漏極電流: 39 A 38 A
製造商: Infineon Infineon
最高工作溫度: + 150 C + 175 C
最低工作溫度: - 55 C - 55 C
安裝風格: Through Hole Through Hole
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝/外殼: TO-247-4 TO-247-4
封裝: Tube Tube
Pd - 功率消耗 : 125 W 153 W
產品類型: SiC MOSFETS SiC MOSFETS
Qg - 閘極充電: 33 nC 22 nC
Rds On - 漏-源電阻: 64 mOhms 62 mOhms
上升時間: 12.6 ns 7.6 ns
RoHS - 貿澤: Y Y
系列: IMZA65R048 650V G2
標準包裝數量: 240 240
子類別: Transistors Transistors
技術: SiC SiC
公司名稱: CoolSiC CoolSiC
晶體管極性: N-Channel N-Channel
標準斷開延遲時間: 17 ns 13.5 ns
標準開啟延遲時間: 14.8 ns 8.1 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V 650 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V - 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V 5.6 V
零件號別名: IMZA65R048M1H SP005398433 IMZA65R050M2H

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