比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | |
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| Mouser 元件編號: | 512-FDC654P | 512-FDC658AP |
| 製造商的零件編號： | FDC654P | FDC658AP |
| 製造商: | onsemi | onsemi |
| 說明： | MOSFET SSOT-6 P-CH -30V | MOSFET -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | FDC654P 規格書 | FDC658AP 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | onsemi | onsemi |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | PH | PH |
| 擴散國: | KR | KR |
| 原產國: | PH | PH |
| 下降時間: | 13 ns | 12 ns |
| 互導 - 最小值: | 6 S | 8.4 S |
| Id - C連續漏極電流: | 3.6 A | 4 A |
| 製造商: | onsemi | onsemi |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | SSOT-6 | SSOT-6 |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 1.6 W | 1.6 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 9 nC | 8.1 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 75 mOhms | 44 mOhms |
| 上升時間: | 13 ns | 12 ns |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | FDC654P | FDC658AP |
| 標準包裝數量: | 3000 | 3000 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | PowerTrench | PowerTrench |
| 晶體管極性: | P-Channel | P-Channel |
| 晶體管類型: | 1 P-Channel | 1 P-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 11 ns | 16 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 6 ns | 7 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 30 V | 30 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 25 V, 25 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 3 V | 3 V |
| 零件號別名: | FDC654P_NL | - |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 5,788 可立即送貨 | 17,567 可立即送貨 |
| 在途量: |
0
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9000
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| 工廠前置作業時間： |
21
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
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15
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
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| 定價： | ||