比較類似產品
產品資訊 |
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| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 726-IPB65R190CFDAATM | 726-IPB65R190CFDA |
| 製造商的零件編號： | IPB65R190CFDAATMA1 | IPB65R190CFDA |
| 製造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 說明： | MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 | MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | IPB65R190CFDAATMA1 規格書 (PDF) | IPB65R190CFDA 規格書 (PDF) |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | Not Available | MY |
| 擴散國: | Not Available | AT |
| 原產國: | AT | AT |
| 下降時間: | 6.4 ns | 6.4 ns |
| Id - C連續漏極電流: | 17.5 A | 17.5 A |
| 製造商: | Infineon | Infineon |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 40 C | - 40 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | D2PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 151 W | 151 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 68 nC | 68 nC |
| 資格: | AEC-Q100 | AEC-Q100 |
| Rds On - 漏-源電阻: | 171 mOhms | 171 mOhms |
| 上升時間: | 8.4 ns | 8.4 ns |
| RoHS - 貿澤: | E | E |
| 系列: | CoolMOS CFDA | CoolMOS CFDA |
| 標準包裝數量: | 1000 | 1000 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | CoolMOS | CoolMOS |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 53.2 ns | 53.2 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 12 ns | 12 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 650 V | 650 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 3.5 V | 3.5 V |
| 零件號別名: | IPB65R190CFDA SP000928264 | SP000928264 IPB65R19CFDAXT IPB65R190CFDAATMA1 |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 775 可立即送貨 | 768 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
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