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圖像: Product 726-IMBG65R072M1HXTM Product 726-IMBG65R075M2HXTM
Mouser 元件編號: 726-IMBG65R072M1HXTM 726-IMBG65R075M2HXTM
製造商的零件編號: IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R075M2HXTMA1
製造商: Infineon Technologies Infineon Technologies
說明: 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
壽命週期: Not Recommended for New Designs New Product
規格書: IMBG65R072M1HXTMA1 規格書 (PDF) IMBG65R075M2HXTMA1 規格書 (PDF)
RoHS:    

規格

品牌: Infineon Technologies Infineon Technologies
通道模式: Enhancement Enhancement
組裝國家: Not Available MY
擴散國: Not Available Not Available
原產國: MY AT
Id - C連續漏極電流: 33 A 28 A
製造商: Infineon Infineon
最高工作溫度: + 175 C + 175 C
最低工作溫度: - 55 C -
安裝風格: SMD/SMT SMD/SMT
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝: Reel Reel
Pd - 功率消耗 : 140 W 124 W
產品: MOSFETs SiC MOSFET
產品類型: SiC MOSFETS SiC MOSFETS
Qg - 閘極充電: 22 nC 14.9 nC
Rds On - 漏-源電阻: 94 mOhms 95 mOhms
RoHS - 貿澤: Y Y
系列: CoolSiC 650V -
標準包裝數量: 1000 1000
子類別: Transistors Transistors
技術: SiC SiC
公司名稱: CoolSiC CoolSiC
晶體管極性: N-Channel N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V 650 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V - 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V 5.6 V
零件號別名: IMBG65R072M1H SP005539178 -
配置: - Single
下降時間: - 5.5 ns
封裝/外殼: - TO-263-7
上升時間: - 5.3 ns
晶體管類型: - 1 N-Channel
類型: - MOSFET
標準斷開延遲時間: - 12.8 ns
標準開啟延遲時間: - 5.7 ns

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