比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | ||||||||||
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| Mouser 元件編號: | 726-IMBG65R030M1HXTM | 726-IMBG65R020M2HXTM | |||||||||
| 製造商的零件編號： | IMBG65R030M1HXTMA1 | IMBG65R020M2HXTMA1 | |||||||||
| 製造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||
| 說明： | 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | |||||||||
| 壽命週期: | Not Recommended for New Designs | - | |||||||||
| 規格書: | IMBG65R030M1HXTMA1 規格書 (PDF) | IMBG65R020M2HXTMA1 規格書 (PDF) | |||||||||
| RoHS: | |||||||||||
規格 |
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| 品牌: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement | |||||||||
| 組裝國家: | Not Available | Not Available | |||||||||
| 擴散國: | Not Available | Not Available | |||||||||
| 原產國: | MY | AT | |||||||||
| Id - C連續漏極電流: | 63 A | 91 A | |||||||||
| 製造商: | Infineon | Infineon | |||||||||
| 最高工作溫度: | + 175 C | + 175 C | |||||||||
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C | |||||||||
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||
| 封裝: | Reel | Reel | |||||||||
| Pd - 功率消耗 : | 234 W | 326 W | |||||||||
| 產品: | MOSFETs | - | |||||||||
| 產品類型: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||
| Qg - 閘極充電: | 49 nC | 57 nC | |||||||||
| Rds On - 漏-源電阻: | 42 mOhms | 24 mOhms | |||||||||
| RoHS - 貿澤: | Y | Y | |||||||||
| 系列: | CoolSiC 650V | - | |||||||||
| 標準包裝數量: | 1000 | 1000 | |||||||||
| 子類別: | Transistors | Transistors | |||||||||
| 技術: | SiC | SiC | |||||||||
| 公司名稱: | CoolSiC | - | |||||||||
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel | |||||||||
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 650 V | 650 V | |||||||||
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V | |||||||||
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 5.7 V | 5.6 V | |||||||||
| 零件號別名: | IMBG65R030M1H SP005539165 | IMBG65R020M2HXTMA1 SP005917206 | |||||||||
| 配置: | - | Single | |||||||||
| 下降時間: | - | 5.6 ns | |||||||||
| 封裝/外殼: | - | TO-263-7 | |||||||||
| 上升時間: | - | 12 ns | |||||||||
| 標準斷開延遲時間: | - | 19 ns | |||||||||
| 標準開啟延遲時間: | - | 10.3 ns | |||||||||
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| 庫存： | 暫無庫存 | ||||||||||
| 工廠前置作業時間： | 52 週 工廠預計生產時間。 | - | |||||||||
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