比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | |
| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 726-IMBG65R022M1HXTM | 726-IMBG65R020M2HXTM |
| 製造商的零件編號： | IMBG65R022M1HXTMA1 | IMBG65R020M2HXTMA1 |
| 製造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 說明： | 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
| 壽命週期: | Not Recommended for New Designs | - |
| 規格書: | IMBG65R022M1HXTMA1 規格書 (PDF) | IMBG65R020M2HXTMA1 規格書 (PDF) |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 組裝國家: | Not Available | Not Available |
| 擴散國: | Not Available | Not Available |
| 原產國: | AT | AT |
| Id - C連續漏極電流: | 64 A | 91 A |
| 製造商: | Infineon | Infineon |
| 最高工作溫度: | + 175 C | + 175 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 300 W | 326 W |
| 產品: | MOSFETs | - |
| 產品類型: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS |
| Qg - 閘極充電: | 67 nC | 57 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 30 mOhms | 24 mOhms |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | CoolSiC 650V | - |
| 標準包裝數量: | 1000 | 1000 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | SiC | SiC |
| 公司名稱: | CoolSiC | - |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 650 V | 650 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 5.7 V | 5.6 V |
| 零件號別名: | IMBG65R022M1H SP005539143 | IMBG65R020M2HXTMA1 SP005917206 |
| 配置: | - | Single |
| 下降時間: | - | 5.6 ns |
| 封裝/外殼: | - | TO-263-7 |
| 上升時間: | - | 12 ns |
| 標準斷開延遲時間: | - | 19 ns |
| 標準開啟延遲時間: | - | 10.3 ns |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 653 可立即送貨 | 192 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 52 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 52 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
| 購買: |
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| 定價： | ||