比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | |
| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 595-CSD19536KTT | 595-CSD19536KTTT |
| 製造商的零件編號： | CSD19536KTT | CSD19536KTTT |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 說明： | MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT | MOSFET 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | CSD19536KTT 規格書 | CSD19536KTTT 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | CN | CN |
| 擴散國: | CN | CN |
| 原產國: | CN | CN |
| 下降時間: | 6 ns | 6 ns |
| 互導 - 最小值: | 329 S | 329 S |
| Id - C連續漏極電流: | 272 A | 272 A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高工作溫度: | + 175 C | + 175 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 濕度敏感: | Yes | Yes |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | D2PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 375 W | 375 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 118 nC | 118 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 2.4 mOhms | 2.4 mOhms |
| 上升時間: | 8 ns | 8 ns |
| RoHS - 貿澤: | E | E |
| 系列: | CSD19536KTT | CSD19536KTT |
| 標準包裝數量: | 500 | 50 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | NexFET | NexFET |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 32 ns | 32 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 13 ns | 13 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 100 V | 100 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 2.1 V | 2.1 V |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 0 | 214 可立即送貨 |
| 在途量: |
10492
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1450
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| 工廠前置作業時間： |
12
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
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12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
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| 定價： | ||