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圖像: Product 595-CSD19535KTT Product 595-CSD19535KTTT
Mouser 元件編號: 595-CSD19535KTT 595-CSD19535KTTT
製造商的零件編號: CSD19535KTT CSD19535KTTT
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
說明: MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19535KTTT MOSFET 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19535KTT
壽命週期: - -
規格書: CSD19535KTT 規格書 CSD19535KTTT 規格書
RoHS:    

規格

品牌: Texas Instruments Texas Instruments
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
組裝國家: CN Not Available
擴散國: CN Not Available
原產國: CN CN
下降時間: 15 ns 15 ns
互導 - 最小值: 301 S 301 S
Id - C連續漏極電流: 197 A 200 A
製造商: Texas Instruments Texas Instruments
最高工作溫度: + 175 C + 175 C
最低工作溫度: - 55 C - 55 C
濕度敏感: Yes Yes
安裝風格: SMD/SMT SMD/SMT
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝/外殼: D2PAK-3 (TO-263-3) D2PAK-3 (TO-263-3)
封裝: Reel Reel
Pd - 功率消耗 : 300 W 300 W
產品類型: MOSFETs MOSFETs
Qg - 閘極充電: 75 nC 75 nC
Rds On - 漏-源電阻: 3.4 mOhms 3.4 mOhms
上升時間: 18 ns 18 ns
RoHS - 貿澤: E E
系列: CSD19535KTT CSD19535KTT
標準包裝數量: 500 50
子類別: Transistors Transistors
技術: Si Si
公司名稱: NexFET NexFET
晶體管極性: N-Channel N-Channel
晶體管類型: 1 N-Channel 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 21 ns 21 ns
標準開啟延遲時間: 9 ns 9 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V 100 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.2 V 2.2 V

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