比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | |
| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 595-CSD88537ND | 595-CSD88537NDT |
| 製造商的零件編號: | CSD88537ND | CSD88537NDT |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 說明: | MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT | MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88537ND |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | CSD88537ND 規格書 | CSD88537NDT 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Dual | Dual |
| 組裝國家: | PH | Not Available |
| 擴散國: | CN | Not Available |
| 原產國: | PH | CN |
| 下降時間: | 19 ns | 19 ns |
| Id - C連續漏極電流: | 16 A | 16 A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 2 Channel | 2 Channel |
| 封裝/外殼: | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 2.1 W | 2.1 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 14 nC | 14 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 15 mOhms | 15 mOhms |
| 上升時間: | 15 ns | 15 ns |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | CSD88537ND | CSD88537ND |
| 標準包裝數量: | 2500 | 250 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | NexFET | NexFET |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 2 N-Channel | 2 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 5 ns | 5 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 6 ns | 6 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 60 V | 60 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 2.6 V | 2.6 V |
| 開發套件: | - | DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711 |
| 互導 - 最小值: | - | 42 S |
訂購資訊 |
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| 庫存: | 8,538 可立即送貨 | 141 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間: | 12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
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| 定價: | ||
