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圖像: Product 241-BSS123_R2_00001 Product 241-BSS123_R1_00001
Mouser 元件編號: 241-BSS123_R2_00001 241-BSS123_R1_00001
製造商的零件編號: BSS123_R2_00001 BSS123_R1_00001
製造商: Panjit Panjit
說明: MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
壽命週期: - -
規格書: BSS123_R2_00001 規格書 (PDF) BSS123_R1_00001 規格書 (PDF)
RoHS:    

規格

品牌: Panjit Panjit
通道模式: Enhancement Enhancement
配置: Single Single
組裝國家: Not Available Not Available
擴散國: Not Available Not Available
原產國: TW, CN TW, CN
下降時間: 20 ns 20 ns
Id - C連續漏極電流: 170 mA 170 mA
製造商: Panjit Panjit
最高工作溫度: + 150 C + 150 C
最低工作溫度: - 55 C - 55 C
安裝風格: SMD/SMT SMD/SMT
通道數: 1 Channel 1 Channel
封裝/外殼: SOT-23-3 SOT-23-3
封裝: Reel Reel
Pd - 功率消耗 : 500 mW 500 mW
產品類型: MOSFETs MOSFETs
Qg - 閘極充電: 1.8 nC 1.8 nC
Rds On - 漏-源電阻: 10 Ohms 10 Ohms
上升時間: 19 ns 19 ns
RoHS - 貿澤: Y Y
標準包裝數量: 12000 3000
子類別: Transistors Transistors
技術: Si Si
晶體管極性: N-Channel N-Channel
晶體管類型: 1 N-Channel 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 8.2 ns 8.2 ns
標準開啟延遲時間: 3.4 ns 3.4 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V 100 V
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V 2.5 V
系列: - NFET-100TMN

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