比較類似產品
產品資訊 |
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| 目前產品 | First 類似產品 | |
| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 726-IPD30N10S3L34 | 726-IPD30N10S3L34ATM |
| 製造商的零件編號： | IPD30N10S3L-34 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
| 製造商: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 說明： | MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T | MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T |
| 壽命週期: | Not Recommended for New Designs | Not Recommended for New Designs |
| 規格書: | IPD30N10S3L-34 規格書 (PDF) | IPD30N10S3L34ATMA1 規格書 (PDF) |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | MY | MY |
| 擴散國: | AT | AT |
| 原產國: | AT | AT |
| 下降時間: | 3 ns | 3 ns |
| Id - C連續漏極電流: | 30 A | 30 A |
| 製造商: | Infineon | Infineon |
| 最高工作溫度: | + 175 C | + 175 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | DPAK-3 (TO-252-3) | DPAK-3 (TO-252-3) |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 57 W | 57 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 24 nC | 24 nC |
| 資格: | AEC-Q100 | AEC-Q100 |
| Rds On - 漏-源電阻: | 31 mOhms | 31 mOhms |
| 上升時間: | 4 ns | 4 ns |
| RoHS - 貿澤: | E | E |
| 系列: | OptiMOS-T | XPD30N10 |
| 標準包裝數量: | 2500 | 2500 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | OptiMOS | - |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 18 ns | 18 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 6 ns | 6 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 100 V | 100 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 1.2 V | 1.2 V |
| 零件號別名: | SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1 | IPD30N10S3L-34 SP000261248 |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 3,124 可立即送貨 | 2,793 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 9 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 9 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
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