比較類似產品
產品資訊 |
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| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 595-CSD22206W | 595-CSD22206WT |
| 製造商的零件編號： | CSD22206W | CSD22206WT |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 說明： | MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT | MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | CSD22206W 規格書 | CSD22206WT 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | PH | Not Available |
| 擴散國: | CN | Not Available |
| 原產國: | PH | CN |
| 下降時間: | 45 ns | 45 ns |
| 互導 - 最小值: | 20 S | 20 S |
| Id - C連續漏極電流: | 5 A | 2 A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | DSBGA-9 | DSBGA-9 |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 1.7 W | 1.7 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 14.6 nC | 14.6 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 9.1 mOhms | 9.1 mOhms |
| 上升時間: | 17 ns | 17 ns |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | CSD22206W | CSD22206W |
| 標準包裝數量: | 3000 | 250 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | NexFET | NexFET |
| 晶體管極性: | P-Channel | P-Channel |
| 晶體管類型: | 1 P-Channel | 1 P-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 118 ns | 118 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 37 ns | 37 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 8 V | 8 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 6 V, 6 V | - 6 V, 6 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 1.05 V | 700 mV |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 2,910 可立即送貨 | 56 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 6 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 6 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
| 購買: |
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| 定價： | ||