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產品資訊 |
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| 圖像: |
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| Mouser 元件編號: | 595-CSD17318Q2T | 595-CSD17318Q2 |
| 製造商的零件編號： | CSD17318Q2T | CSD17318Q2 |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 說明： | MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2 | MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T |
| 壽命週期: | - | - |
| 規格書: | CSD17318Q2T 規格書 | CSD17318Q2 規格書 |
| RoHS: | ||
規格 |
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| 品牌: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 通道模式: | Enhancement | Enhancement |
| 配置: | Single | Single |
| 組裝國家: | Not Available | CN |
| 擴散國: | Not Available | CN |
| 原產國: | CN | CN |
| 下降時間: | 4 ns | 4 ns |
| 互導 - 最小值: | 42 S | 42 S |
| Id - C連續漏極電流: | 25 A | 25 A |
| 製造商: | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 最高工作溫度: | + 150 C | + 150 C |
| 最低工作溫度: | - 55 C | - 55 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 通道數: | 1 Channel | 1 Channel |
| 封裝/外殼: | WSON-6 | WSON-6 |
| 封裝: | Reel | Reel |
| Pd - 功率消耗 : | 16 W | 16 W |
| 產品類型: | MOSFETs | MOSFETs |
| Qg - 閘極充電: | 6 nC | 6 nC |
| Rds On - 漏-源電阻: | 16.9 mOhms | 16.9 mOhms |
| 上升時間: | 16 ns | 16 ns |
| RoHS - 貿澤: | Y | Y |
| 系列: | CSD17318Q2 | CSD17318Q2 |
| 標準包裝數量: | 250 | 3000 |
| 子類別: | Transistors | Transistors |
| 技術: | Si | Si |
| 公司名稱: | NexFET | NexFET |
| 晶體管極性: | N-Channel | N-Channel |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| 標準斷開延遲時間: | 13 ns | 13 ns |
| 標準開啟延遲時間: | 5 ns | 5 ns |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 30 V | 30 V |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 8 V, 10 V | - 8 V, 10 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 600 mV | 600 mV |
訂購資訊 |
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| 庫存： | 2,932 可立即送貨 | 7,600 可立即送貨 |
| 工廠前置作業時間： | 6 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 | 6 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。 |
| 購買: |
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| 定價： | ||