AS4C32M16SC-7TIN

Alliance Memory
913-AS4C32M16SC-7TIN
AS4C32M16SC-7TIN

製造商：

說明：
DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 558

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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$158.15 HK$158.15
HK$146.64 HK$1,466.40
HK$142.12 HK$3,553.00
HK$138.67 HK$6,933.50
HK$134.81 HK$14,559.48
HK$134.73 HK$29,101.68
1,080 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
512 Mbit
16 bit
133 MHz
TSOP-II-54
32 M x 16
17 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C32M16SC
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 108
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 60 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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