AS4C4M16SA-5TCN

Alliance Memory
913-AS4C4M16SA-5TCN
AS4C4M16SA-5TCN

製造商：

說明：
DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$33.37 HK$33.37
HK$31.24 HK$312.40
HK$30.25 HK$756.25
HK$29.59 HK$1,479.50
HK$28.44 HK$3,071.52
HK$27.87 HK$6,019.92
HK$27.54 HK$14,871.60
HK$27.21 HK$29,386.80
HK$25.98 HK$67,340.16

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-54
4 M x 16
4.5 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C4M16SA
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 108
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 55 mA
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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