AS4C64M8D1-5BIN

Alliance Memory
913-AS4C64M8D1-5BIN
AS4C64M8D1-5BIN

製造商：

說明：
DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 467

庫存：
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8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$90.17 HK$90.17
HK$83.76 HK$837.60
HK$81.21 HK$2,030.25
HK$79.32 HK$3,966.00
HK$74.97 HK$17,992.80
HK$60.01 HK$28,804.80
HK$59.51 HK$71,412.00
2,640 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
FBGA-60
64 M x 8
700 ps
2.3 V
2.7 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C64M8D1
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 240
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 90 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320028
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

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