AS4C8M32S-6TIN

Alliance Memory
913-AS4C8M32S-6TIN
AS4C8M32S-6TIN

製造商：

說明：
DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Industrial Temp - Tray

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$88.37 HK$88.37
HK$82.12 HK$821.20
HK$79.65 HK$1,991.25
HK$77.76 HK$3,888.00
HK$77.19 HK$8,336.52
HK$72.58 HK$15,677.28
HK$71.27 HK$38,485.80
HK$69.46 HK$75,016.80
2,160 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
166 MHz
TSOP-II-86
8 M x 32
5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C8M32S
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 108
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 100 mA
每件重量: 11.861 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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