AS4C8M32SA-6BIN

Alliance Memory
913-AS4C8M32SA-6BIN
AS4C8M32SA-6BIN

製造商：

說明：
DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray

規格書:
ECAD模型:
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16 週 工廠預計生產時間。
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$106.04 HK$106.04
HK$98.48 HK$984.80
HK$95.43 HK$2,385.75
HK$93.13 HK$4,656.50
HK$89.43 HK$8,943.00
HK$84.75 HK$16,102.50
HK$83.52 HK$47,606.40
HK$82.12 HK$93,616.80
2,660 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
166 MHz
FBGA-90
8 M x 32
5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C8M32SA
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 190
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 150 mA
每件重量: 4 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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