ADPA1116ACGZN-R7

Analog Devices
584-ADPA1116ACGZN-R7
ADPA1116ACGZN-R7

製造商：

說明：
RF放大器 GaN Wideband Power Amplifier ICs

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規格書:
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Analog Devices Inc.
產品類型: RF放大器
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300 MHz to 6 GHz
28 V
32.5 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
LFCSP-32
GaN
- 40 C
+ 85 C
ADPA1116
Reel
品牌: Analog Devices
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
開發套件: EVAL-ADPA1116
通道數: 1 Channel
Pd - 功率消耗 : 28.7 W
產品類型: RF Amplifier
原廠包裝數量: 500
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
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所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

ADPA1116 GaN Power Amplifiers

Analog Devices ADPA1116 GaN Power Amplifiers feature a 39.5dBm saturated output power (POUT) power added efficiency (PAE) of 40% and a power gain of 23.5dB typical from 0.5GHz to 5GHz at an input power (PIN) of 16.0dBm. The RF input and output are internally matched and AC-coupled. A drain bias voltage of 28V is applied to the VDD1 and VDD2 pins, which have integrated bias inductors. The drain current is set using a negative voltage to the VGG1 pin. The ADPA1116 is manufactured using a gallium nitride (GaN) process and is available in a 32-lead chip scale package. The ADI ADPA1116 amps are specified for operation from -40°C to +85°C.

RF, Microwave & Millimeter Wave ADI SLP


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