HMC659LC5 Analog Devices

說明：

RF放大器 pow amp SMT, DC - 15 GHz

送貨限制:

Mouser目前不在您的地區出售本產品。

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Analog Devices Inc.
產品類型:	RF放大器
送貨限制:	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
操作頻率:	0 Hz to 15 GHz
工作電源電壓:	8 V
運作供電電流:	300 mA
增益:	19 dB
NF - 雜訊圖標:	3 dB
類型:	Power Amplifiers
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	LFCSP-32
技術:	GaAs
P1dB - 壓縮點:	28 dBm
OIP3 - 三階交調:	35 dBm
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	HMC659G
封裝:	Cut Tape
品牌:	Analog Devices
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
輸入返回損耗:	20 dB
濕度敏感:	Yes
通道數:	1 Channel
Pd - 功率消耗 :	3.3 W
產品類型:	RF Amplifier
原廠包裝數量:	1
子類別:	Wireless & RF Integrated Circuits
試驗頻率:	0 Hz to 6 GHz
每件重量:	13.003 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

HMC659LC5 規格書 (PDF)

Models

HMC659LC5 Symbol & Footprint by SnapMagic

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

HMC659 MMIC PHEMT Power Amplifiers

Analog Devices HMC659LC5 MMIC Power Amplifiers are gallium arsenide (GaAs) radio-frequency devices designed for surface-mount technology (SMT) packages. The amplifier operates between direct current and 15GHz, making it ideal for radar and test equipment applications. The Monolithic Microwave Integrated Circuit device is housed in a leadless 5mm x 5mm RoHS-compliant ceramic SMT package. The pseudomorphic-high-electron-mobility-transistor (pHEMT) amplifier provides 19dB of gain, +35dBm output IP3, and +27.5dBm of output power at 1dB gain compression while requiring 300mA from a +8V supply. The HMC659 amplifier input/output is internally matched to 50Ω, facilitating integration into multi-chip modules (MCMs).

射頻與微波解決方案

Analog Devices提供覆蓋整個高速與射頻訊號鏈的元件。這些產品可幫助設計工程人員開發平臺電子測試和測量系統。這些系統性能一流，測試與擁有成本低，頻率範圍更大，覆蓋DC到100GHz及以上頻段。Analog Devices作為卓越的資料轉換器、射頻和微波IC供應商，提供2，000多種高性能產品，涵蓋整個頻譜。