AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 978.92 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

444-AF54RHC132ENT-R

製造商編號：

AF54RHC132ENT-R

製造商：

Apogee Semiconductor

說明：

邏輯閘 GEO Quad Schmitt 2-input NAND E-Grade NiPdAu TSSOP14 Tape and Reel

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

AF54RHC132ENT-R 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R的資訊

送貨提醒:

此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。

庫存量: 227

庫存：: 227 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 4 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$978.92	HK$978.92
	HK$818.47	HK$8,184.70
	HK$778.43	HK$19,460.75
	HK$751.88	HK$75,188.00
完整捲（訂購多個250）
	HK$709.22	HK$177,305.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Apogee Semiconductor
產品類型:	邏輯閘
送貨提醒:	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
邏輯功能:	NAND
閘極數:	4 Gate
邏輯系列:	AF54RHC
輸入行數:	8 Input
封裝/外殼:	TSSOP-14
輸出行數:	4 Output
低電平輸出電流:	24 mA
高電平輸出電流:	- 24 mA
傳播延遲時間:	38 ns
電源電壓 - 最小值:	1.65 V
電源電壓 - 最大值:	5.5 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 125 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Apogee Semiconductor
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	PH
邏輯類型:	CMOS
工作溫度範圍:	- 55 C to + 125 C
輸出電流:	100 mA
輸出電壓:	5.5 V
產品:	NAND Gate
產品類型:	Logic Gates
系列:	AF54RHC132
原廠包裝數量:	250
子類別:	Logic ICs
公司名稱:	RelBridge

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

AF54RHC132ENT-R 規格書

PCN

USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).