G3F17MT12FB2-T

GeneSiC Semiconductor
905-G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T

製造商：

說明：
MOSFET模組 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM

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規格書:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$862.36 HK$862.36

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Navitas Semiconductor
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Press Fit
SiCPAK
N-Channel
1.2 kV
68 A
23 mOhms
2.2 V
- 40 C
+ 175 C
170 W
SiCPAK F
Tray
品牌: GeneSiC Semiconductor
配置: Dual
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: US
下降時間: 26 ns
高度: 12 mm
長度: 65 mm
產品: SiC Modules
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 18 ns
原廠包裝數量: 48
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Half-Bridge
寬度: 34 mm
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

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