IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

ISSI
870-66WV4M16EC70BLIR
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR

製造商：

說明：
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

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12 週 工廠預計生產時間。
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單價:
HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

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完整捲（訂購多個2500）
HK$50.64 HK$126,600.00

備用包裝

製造商 元件編號:
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
包裝:
供貨情況:
庫存量
價格:
HK$65.51
最小值:
1

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: SRAM
RoHS:  
70 ns
SMD/SMT
BGA-54
Reel
品牌: ISSI
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW, CN
濕度敏感: Yes
產品類型: SRAM
系列: IS66WVC4M16EALL
原廠包裝數量: 2500
子類別: Memory & Data Storage
類型: PSRAM (Pseudo SRAM)
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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