IXFH26N65X2

Name: IXYS IXFH26N65X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N65X2
Price: 75.62 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

747-IXFH26N65X2

製造商編號：

IXFH26N65X2

製造商：

IXYS

說明：

MOSFET TO247 650V 26A N-CH X2CLASS

規格書:

IXFH26N65X2 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於IXYS IXFH26N65X2的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 27 週工廠預計生產時間。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 300 多個： 30

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$75.62	HK$22,686.00
	HK$67.40	HK$34,374.00
	HK$63.79	HK$65,065.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	26 A
Rds On - 漏-源電阻:	130 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	45 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	460 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	PH
下降時間:	17 ns
互導 - 最小值:	9.5 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	53 ns
系列:	IXFH26N65X2
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	40 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXFH26N65X2 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X2-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X2-Class MOSFETs offer high power density, space savings and are easy to mount. The MOSFETs are available in international standard packages, including TO-263, TO-220, and TO-247.