IXFN180N25T

IXYS
747-IXFN180N25T
IXFN180N25T

製造商：

說明：
MOSFET模組 155A 250V

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於IXYS IXFN180N25T的資訊

庫存量: 250

庫存：
250 可立即送貨
工廠前置作業時間：
23 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$255.97 HK$255.97
HK$198.84 HK$1,988.40
HK$180.92 HK$18,092.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
250 V
168 A
12.9 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
- 55 C
+ 150 C
900 W
IXFN180N25
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: KR
下降時間: 20 ns
高度: 12.22 mm
長度: 38.23 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 52 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: HiPerFET
類型: GigaMOS Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 88 ns
標準開啟延遲時間: 35 ns
寬度: 25.42 mm
每件重量: 30 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。