IXFN420N10T

IXYS
747-IXFN420N10T
IXFN420N10T

製造商：

說明：
MOSFET模組 TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 361

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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$276.36 HK$276.36
HK$234.43 HK$2,344.30
HK$204.10 HK$20,410.00
1,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
100 V
420 A
2.3 mOhms
- 20 V, + 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
1.07 mW
IXFN420N10
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: KR
下降時間: 255 ns
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 155 ns
原廠包裝數量: 10
子類別: Discrete and Power Modules
公司名稱: HiPerFET
類型: GigaMos Trench HiperFet Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 115 ns
標準開啟延遲時間: 47 ns
每件重量: 30 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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