IXFN60N80P

Name: IXYS IXFN60N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN60N80P
Price: 418.97 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

747-IXFN60N80P

製造商編號：

IXFN60N80P

製造商：

IXYS

說明：

MOSFET模組 DIODE Id54 BVdass800

規格書:

IXFN60N80P 規格書

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	IXYS
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	53 A
Rds On - 漏-源電阻:	140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, + 30 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.04 mW
系列:	IXFN60N80
封裝:	Tube
品牌:	IXYS
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	KR
下降時間:	26 ns
高度:	9.6 mm
長度:	38.23 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	29 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	HiPerFET
類型:	HiperFET
標準斷開延遲時間:	110 ns
標準開啟延遲時間:	36 ns
寬度:	25.42 mm
每件重量:	30 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IXFN60N80P 規格書

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CNHTS:: 8504901900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.