IXTP86N20X4

IXYS
747-IXTP86N20X4
IXTP86N20X4

製造商：

說明：
MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$109.57 HK$109.57
HK$63.87 HK$638.70

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
86 A
13 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: KR
下降時間: 35 ns
互導 - 最小值: 50 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 38 ns
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 76 ns
標準開啟延遲時間: 27 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs

IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are N-channel enhancement-mode devices with either 10.6mΩ, 13mΩ, or 21mΩ RDS(on) and a 200V maximum drain-source voltage. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. The IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are ideal for use in switch-mode and resonant-mode power supplies.

IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs

IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs are avalanche-rated, N-channel enhancement-mode MOSFETs with a 200V drain-source breakdown voltage. The IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs come in a TO-220 (IXTP) or TO-263 (IXTA) package and offer 86A or 94A continuous drain current.

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