AIMW120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-W120R060M1HXKSA1
AIMW120R060M1HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$228.11 HK$228.11
HK$167.19 HK$1,671.90

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
60 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
150 mW
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: AT
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
系列: CoolSiC 1200V
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
零件號別名: AIMW120R060M1H SP005417583
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所選屬性: 0

規格書

Product Catalogs

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CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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