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FF55MR12W1M1HB70BPSA1

Name: Infineon FF55MR12W1M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF55MR12W1M1HB70
Price: 469.36 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FF55MR12W1M1HB70

製造商編號：

FF55MR12W1M1HB70BPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

離散半導體模組 EASY

規格書:

FF55MR12W1M1HB70BPSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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總價:

HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$469.36	HK$469.36
	HK$344.99	HK$3,449.90

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
技術:	Si
系列:	M1H
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
原廠包裝數量:	24
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
公司名稱:	EasyDUAL CoolSiC
零件號別名:	FF55MR12W1M1H_B70 SP005852782

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所選屬性: 0

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規格書

FF55MR12W1M1HB70BPSA1 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.