FP75R12N3T7BPSA1

Name: Infineon FP75R12N3T7BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP75R12N3T7BPSA1
Price: 730.35 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FP75R12N3T7BPSA1

製造商編號：

FP75R12N3T7BPSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT 模組 1200 V, 75 A PIM IGBT module

規格書:

FP75R12N3T7BPSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$730.35	HK$730.35
	HK$667.96	HK$6,679.60
	HK$605.65	HK$60,565.00
500	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT 模組
產品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
連續集電極電流在25 C:	75 A
柵射極漏電電流:	100 nA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	HU
擴散國:	AT
原產國:	AT
產品類型:	IGBT Modules
原廠包裝數量:	10
子類別:	IGBTs
技術:	Si
零件號別名:	FP75R12N3T7 SP005632393

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FP75R12N3T7BPSA1 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.