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IDH08G120C5XKSA1

Name: Infineon IDH08G120C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH08G120C5XKSA1
Price: 32.39 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IDH08G120C5XKSA1

製造商編號：

IDH08G120C5XKSA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽肖特基二極管 SIC CHIP/DISCRETE

規格書:

IDH08G120C5XKSA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$32.39	HK$32.39
	HK$21.13	HK$211.30
	HK$16.60	HK$1,660.00
	HK$13.81	HK$6,905.00
	HK$12.08	HK$12,080.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-2
配置:	Single
If - 順向電流:	8 A
Vrrm - 重複反向電壓:	1.2 kV
Vf - 順向電壓:	1.65 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	70 A
Ir - 反向電流:	3 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	IDH08G120C5
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
Pd - 功率消耗 :	126 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	500
子類別:	Diodes & Rectifiers
公司名稱:	CoolSiC
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
零件號別名:	IDH08G120C5 SP001194252
每件重量:	6 g

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

快速DC EV充電解決方案

Infineon電動汽車直流快速充電解決方案可幫助解決電動汽車的需求。隨著市場上電動汽車數量不斷增長，以及政府要求在2050年前實現汽車排放歸零的壓力，人們迫切需要更加高效的充電解決方案。正如各類消費者研究所示，用戶對電動汽車的接受程度深受充電過程的有效性和時長影響。而高功率直流充電站就是滿足此類市場需求的解決方案。如今，常規電動汽車可在10分鐘內充滿80%的電池容量。這樣的充電速度已經堪比傳統內燃機汽車的加油速度。Infineon協助實現節能直流快速充電設計。Infineon可一站式供應各類即用型產品和設計組合，涵蓋電源轉換、微控制器、安全防護、輔助電源和通訊產品系列。

1200V CoolSiC Generation 5肖特基二極體

Infineon 1200V CoolSiC Generation 5 Schottky Diodes are offered with forward currents up to 40A for TO-247, 20A in TO-220 and 10A in DPAK. CoolSiC Generation 5 target solar inverters, UPS, 3P SMPS, energy storage and motor drives applications. With Generation 5, reduction of forward voltage and its temperature dependency brings a new level of system efficiency. Moreover, an improved thermal performance compared to a silicon based solution increases system reliability and the possibility to increase output power in a given form factor. Combined with a Si HighSpeed 3 IGBT, they deliver 40% lower Si IGBT turn-on losses and reduced EMI.
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碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體

英飛凌碳化矽CoolSiC™ MOSFET和二極體為能滿足更智慧節能的發電、電力輸送及用電需求的產品組合。CoolSiC產品組合能滿足客戶需求，幫助其縮小系統尺寸，降低中至高功率系統的成本，同時滿足最高的品質標準，延長系統使用壽命，可靠度大受保證。客戶一方面可透過CoolSiC達到最嚴格的效率目標，另一方面則能降低操作系統的成本。產品組合中包括CoolSiC肖特基二極體、CoolSiC混合式模組、CoolSiC MOSFET模組和獨立式裝置，以及用於驅動碳化矽裝置的EiceDRIVER™閘極驅動器IC。