IMBG120R350M1HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG120R350M1HXT
IMBG120R350M1HXTMA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
總價:
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包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$50.06 HK$50.06
HK$32.80 HK$328.00
HK$24.17 HK$2,417.00
HK$21.45 HK$10,725.00
完整捲（訂購多個1000）
HK$19.07 HK$19,070.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
4.7 A
468 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.1 V
5.9 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: MY
下降時間: 16 ns
互導 - 最小值: 1.2 S
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 0.7 ns
系列: CoolSiC 1200V
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 6.3 ns
零件號別名: IMBG120R350M1H SP004463802
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所選屬性: 0

規格書

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

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