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IMBG65R040M2HXTMA1

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Mouser 編號：

726-IMBG65R040M2HXTM

製造商編號：

IMBG65R040M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

規格書:

IMBG65R040M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
送貨限制:	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	49 A
Rds On - 漏-源電阻:	49 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	28 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	197 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	4.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	8.3 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	14.4 ns
標準開啟延遲時間:	8.4 ns
零件號別名:	IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IMBG65R040M2HXTMA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET可在所有常見功率變換應用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中達到最高品質標準的同時，實現優異的SiC性能水準。SiC MOSFET可為光電變換器、儲能系統、電動車充電、電源供應器和馬達驅動器提供比Si替代品更高的性能。英飛凌CoolSiC G2 MOSFET進一步推進了獨特的XT互連技術 (例如TO-263-7和TO-247-4分立式外殼)，克服了在保持散熱能力的同時提高半導體晶片性能的共同挑戰。G2的散熱能力提高了12%，將晶片的性能提升至SiC性能的強勁水平。