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IMDQ75R004M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R004M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R004M2HXTM
Price: 487.61 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IMDQ75R004M2HXTM

製造商編號：

IMDQ75R004M2HXTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IMDQ75R004M2HXTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$487.61	HK$487.61
	HK$415.85	HK$4,158.50
	HK$363.74	HK$36,374.00
完整捲（訂購多個750）
	HK$363.74	HK$272,805.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PG-HDSOP-22
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	840 V
Id - C連續漏極電流:	357 A
Rds On - 漏-源電阻:	5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 7 V to + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
Qg - 閘極充電:	342 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	1.499 kW
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolSiC
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	13 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	24 ns
原廠包裝數量:	750
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	56 ns
標準開啟延遲時間:	24 ns
零件號別名:	IMDQ75R004M2H SP006065921

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IMDQ75R004M2HXTMA1 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET可在所有常見功率變換應用（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中達到最高品質標準的同時，實現優異的SiC性能水準。SiC MOSFET可為光電變換器、儲能系統、電動車充電、電源供應器和馬達驅動器提供比Si替代品更高的性能。英飛凌CoolSiC G2 MOSFET進一步推進了獨特的XT互連技術 (例如TO-263-7和TO-247-4分立式外殼)，克服了在保持散熱能力的同時提高半導體晶片性能的共同挑戰。G2的散熱能力提高了12%，將晶片的性能提升至SiC性能的強勁水平。