IPB60R360P7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB60R360P7ATMA1
IPB60R360P7ATMA1

製造商：

說明：
MOSFET LOW POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
總價:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$18.91 HK$18.91
HK$12.08 HK$120.80
HK$8.06 HK$806.00
HK$6.51 HK$3,255.00
完整捲（訂購多個1000）
HK$5.26 HK$5,260.00
HK$5.24 HK$10,480.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
305 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
41 W
Enhancement
CoolMOS
Reel
Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: DE
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 7 ns
系列: CoolMOS P7
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 42 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
零件號別名: IPB60R360P7 SP001664948
每件重量: 4 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

600V CoolMOS P7功率晶體管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶體管是第7代裝置並採用適用於高電壓功率MOSFETs的革新性技術。該晶體管根據超結(SJ)原則設計而成，由Infineon Technologies率先製造。600V CoolMOS P7綜合快速開關SJ MOSFET的益處與卓越易用性於一體。600V P7擁有極低的響鈴趨勢、可承受繁重交換任務的卓越體二晶體堅固性，以及出色的防靜電性能。極低的開關和傳導損失使開關應用更高效、纖巧和更低溫。
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650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies. 

USB電源供應解決方案

Infineon Technologies USB電源供應解決方案符合比針對智慧型手機的一般充電設計更高額定功率的要求，提供比現有USB標準更高的功率等級。英飛凌供應包含低RDS(on)、高電壓和低電壓功率MOSFET等完整的半導體產品組合，適用於高功率密度，能適當解決熱管理和潛在電磁干擾 (EMI) 等問題。功率等級提高，能為硬碟機、印表機和顯示器，以及像是筆記型電腦等更大型的可攜式電子裝置供電。若要使用最高功率的模式，也需要有特殊額定值的USB纜線。USB PD作為單一纜線解決方案，是比現有USB互連產品更輕薄耐用的替代選擇。

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

CoolMOS™超結MOSFET

英飛淩CoolMOS功率電晶體具有快速開關SJ MOSFET的所有優勢。結合最新一代CoolMOS 7，英飛淩不斷在價格、性能和品質等方面樹立標杆。

CoolMOS™ 功率電晶體

Infineon CoolMOS™ 功率電晶體採用面向高壓功率MOSFET的革命性CoolMOS™技術，該技術根據超結原理(SJ)設計，並由Infineon Technologies率先應用。CoolMOS™ C6和E6系列功率電晶體融合了一流SJ MOSFET供應商的實踐經驗，並兼具高度的創新性。它不僅可以提供快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時在易用性上也沒有絲毫的犧牲。極低的開關和傳導損耗使開關應用更加高效、精簡和輕量，散熱效果也更佳。
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Infineon Technologies擴展了採用CoolMOS™技術的CoolMOS®功率電晶體產品，該技術根據超結原理設計，適用於高壓功率MOSFET。這些CoolMOS®功率電晶體具備快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時提供堅固的超高速體二極管。Infineon Technologies CoolMOS® 功率電晶體尤其適用於PC Silverbox、LCD TV、照明、伺服器和電信等應用的諧振開關PWM階段。
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