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IPB65R099CFD7AATMA1

Name: Infineon IPB65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB65R099CFD7AAT
Price: 48.09 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IPB65R099CFD7AAT

製造商編號：

IPB65R099CFD7AATMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

規格書:

IPB65R099CFD7AATMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個1000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$48.09	HK$48.09
	HK$32.22	HK$322.20
	HK$23.18	HK$2,318.00
	HK$22.93	HK$11,465.00
完整捲（訂購多個1000）
	HK$21.29	HK$21,290.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	38 A
Rds On - 漏-源電阻:	99 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	127 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	278 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	CoolMOS
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
下降時間:	6 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	CoolMOS CFD7A
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	77 ns
標準開啟延遲時間:	10.6 ns
零件號別名:	IPB65R099CFD7A SP005324310
每件重量:	324 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IPB65R099CFD7AATMA1 規格書 (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.