IPD35N10S3L26ATMA2

Name: Infineon IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD35N10S3L26AT2
Price: 19.48 HKD
Availability: InStock

Mouser 編號：

726-IPD35N10S3L26AT2

製造商編號：

IPD35N10S3L26ATMA2

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET 100 V, N-Ch, 24 m? max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS-T

規格書:

IPD35N10S3L26ATMA2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA2的資訊

庫存量: 2,553

庫存：: 2,553 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 9 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$19.48	HK$19.48
	HK$12.82	HK$128.20
	HK$8.30	HK$830.00
	HK$6.59	HK$3,295.00
	HK$6.15	HK$6,150.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$5.67	HK$14,175.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-252-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	35 A
Rds On - 漏-源電阻:	24 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.4 V
Qg - 閘極充電:	30 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	71 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	OptiMOS
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	MY
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	18 ns
標準開啟延遲時間:	6 ns
零件號別名:	IPD35N10S3L26ATMA2 SP005549678

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IPD35N10S3L26ATMA2 規格書 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.