IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R024P7XKSA1
IPW60R024P7XKSA1

製造商：

說明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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數量 單價
總價
HK$98.97 HK$98.97
HK$59.51 HK$595.10
HK$54.50 HK$5,450.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
101 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
164 nC
- 55 C
+ 150 C
291 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: DE
產品類型: MOSFETs
系列: CoolMOS P7
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
零件號別名: IPW60R024P7 SP001866180
每件重量: 6 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V CoolMOS P7功率晶體管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶體管是第7代裝置並採用適用於高電壓功率MOSFETs的革新性技術。該晶體管根據超結(SJ)原則設計而成，由Infineon Technologies率先製造。600V CoolMOS P7綜合快速開關SJ MOSFET的益處與卓越易用性於一體。600V P7擁有極低的響鈴趨勢、可承受繁重交換任務的卓越體二晶體堅固性，以及出色的防靜電性能。極低的開關和傳導損失使開關應用更高效、纖巧和更低溫。
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CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies. 

CoolMOS™超結MOSFET

英飛淩CoolMOS功率電晶體具有快速開關SJ MOSFET的所有優勢。結合最新一代CoolMOS 7，英飛淩不斷在價格、性能和品質等方面樹立標杆。

USB電源供應解決方案

Infineon Technologies USB電源供應解決方案符合比針對智慧型手機的一般充電設計更高額定功率的要求，提供比現有USB標準更高的功率等級。英飛凌供應包含低RDS(on)、高電壓和低電壓功率MOSFET等完整的半導體產品組合，適用於高功率密度，能適當解決熱管理和潛在電磁干擾 (EMI) 等問題。功率等級提高，能為硬碟機、印表機和顯示器，以及像是筆記型電腦等更大型的可攜式電子裝置供電。若要使用最高功率的模式，也需要有特殊額定值的USB纜線。USB PD作為單一纜線解決方案，是比現有USB互連產品更輕薄耐用的替代選擇。

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

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