CGHV1J006D-GP4

MACOM
941-CGHV1J006D
CGHV1J006D-GP4

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
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HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$685.55 HK$6,855.50
HK$674.53 HK$67,453.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
MACOM
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
100 V
800 mA
2.3 Ohms
- 3 V
品牌: MACOM
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: US
增益: 17 dB
最大工作頻率: 18 GHz
最低工作頻率: 10 MHz
輸出功率: 6 W
封裝: Gel Pack
產品: GaN HEMTs
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 10
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: - 10 V to 2 V
每件重量: 3.890 g
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所選屬性: 0 

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

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