CGHV60075D5-GP4

Name: MACOM CGHV60075D5-GP4
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV60075D
Price: 1675.73 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-CGHV60075D

製造商編號：

CGHV60075D5-GP4

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

規格書:

CGHV60075D5-GP4 規格書 (PDF)

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單價:

HK$-.--

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$1,675.73	HK$16,757.30
100	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
送貨提醒:	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	Die
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	10 A
Rds On - 漏-源電阻:	280 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 10 V, 2 V
Pd - 功率消耗 :	41.6 W
品牌:	MACOM
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
增益:	17 dB
最大工作頻率:	6 GHz
最低工作頻率:	0 Hz
輸出功率:	75 W
封裝:	Gel Pack
產品:	GaN HEMTs
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	10
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	150 V

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所選屬性: 0

                        
Cree RF Products

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5-0614-38

篩選文檔:

規格書

CGHV60075D5-GP4 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8541290040
KRHTS:: 8532331000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CGHV600 6GHz GaN HEMT

Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.
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