GTVA262711FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262711FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262711FAV2R0
Price: 1135.84 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-GTVA262711FAV2R0

製造商編號：

GTVA262711FA-V2-R0

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

規格書:

GTVA262711FA-V2-R0 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	H-87265J-2
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	125 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
最高工作溫度:	+ 225 C
品牌:	MACOM
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
增益:	18 dB
最大工作頻率:	2.69 GHz
最低工作頻率:	2.62 GHz
輸出功率:	300 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V

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規格書

GTVA262711FA-V2-R0 規格書 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

5G RF JFET和LDMOS FET

MACOM 5G RF結場效應電晶體(JFET)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) FET 是用於新一代無線傳輸的熱增強型大功率電晶體。這些裝置採用GaN SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)技術、輸入匹配、高效率以及具有無耳法蘭的耐熱增強型表面貼裝封裝。MACOM 5G RF JFET和LDMOS FET非常適合多標準蜂窩功率放大器應用。