PCDP0865GC_T0_00601

Panjit
241-PCDP0865GCT00601
PCDP0865GC_T0_00601

製造商:

說明:
碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode

ECAD模型:
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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$31.65 HK$31.65
HK$17.51 HK$175.10
HK$17.10 HK$1,710.00
HK$16.69 HK$8,345.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Panjit
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
8 A
650 V
1.5 V
320 A
1.6 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
品牌: Panjit
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
Pd - 功率消耗 : 65.3 W
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 50
子類別: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓: 650 V
每件重量: 1.890 g
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所選屬性: 0

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.