QPD1008L

Name: Qorvo QPD1008L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1008L
Price: 3066.22 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

772-QPD1008L

製造商編號：

QPD1008L

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN

規格書:

QPD1008L 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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數量	單價	總價
	HK$3,066.22	HK$3,066.22
	HK$2,287.71	HK$57,192.75

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	NI-360
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	50 V
Id - C連續漏極電流:	4 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 2.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
Pd - 功率消耗 :	127 W
品牌:	Qorvo
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
開發套件:	QPD1008LPCB401
增益:	17.5 dB
最大工作頻率:	3.2 GHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	162 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1008L
原廠包裝數量:	25
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	145 V

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所選屬性: 0

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規格書

QPD1008L 規格書 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.