QPD1035L

Name: Qorvo QPD1035L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1035L
Price: 2701.75 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

772-QPD1035L

製造商編號：

QPD1035L

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 30W, DC - 6GHz, Flanged

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

QPD1035L 規格書 (PDF)

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	HK$2,071.28	HK$51,782.00
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Flanged
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
Pd - 功率消耗 :	50.4 W
品牌:	Qorvo
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	US
開發套件:	QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V
增益:	12.1 dB
最大漏柵電壓:	145 V
最大工作頻率:	6 GHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	50 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1035L
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	Power Transistor

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規格書

QPD1035L 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.