BSM300D12P3E005

Name: ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSM300D12P3E005
Price: 12883.62 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

755-BSM300D12P3E005

製造商編號：

BSM300D12P3E005

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

BSM300D12P3E005 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$12,883.62	HK$12,883.62

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製造商：

ROHM Semiconductor

製造商編號：

BSM300D12P4G101

說明：

MOSFET模組 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	Module
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	300 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.6 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.26 kW
封裝:	Bulk
品牌:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	JP
下降時間:	50 ns
高度:	15.4 mm
長度:	152 mm
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	35 ns
原廠包裝數量:	4
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	SiC Power Module
標準斷開延遲時間:	210 ns
標準開啟延遲時間:	30 ns
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
寬度:	62 mm

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BSM300D12P3E005 規格書 (PDF)

Specification Sheets

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.