SCT4026DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4026DRC15
SCT4026DRC15

製造商：

說明：
SiC MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC

規格書:
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ROHM Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
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RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
56 A
26 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
94 nC
+ 175 C
176 W
Enhancement
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: US
下降時間: 13 ns
互導 - 最小值: 16 S
封裝: Tube
產品: MOSFET's
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 22 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 45 ns
標準開啟延遲時間: 9.5 ns
零件號別名: SCT4026DR
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

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